西部數據本周對其未來幾年的BiCS 3D NAND路線圖進行了展望。正如預期的那樣，該公司及其合作伙伴Kioxia將繼續推出新一代的BiCS存儲器，以增加每臺設備的容量并降低每比特的成本。
此外，該公司正在開發BiCS+ 3D NAND，與普通BiCS存儲器相比，它將大幅提高性能和密度，以實現具有極端性能的超高容量SSD。
162層的BiCS6即將問世
該公司的下一步是推出其第六代BiCS存儲器，該存儲器將具有162個活性層，并將實現1 Tb QLC 3D NAND存儲器設備，芯片尺寸為68 mm^2。新一代西數的3D NAND還將具有更快的I/O接口和60MB/s的程序速度，這將大大提高下一代SSD的性能，特別是那些帶有PCIe 5.0接口的主流驅動器。
雖然162層可能看起來不像其他制造商吹噓的176層那樣令人印象深刻，但與競爭對手的芯片尺寸相比，西部數據的芯片尺寸將更小，因為該公司將通過使用一種新材料縮小內存單元的尺寸。因此，該公司希望其BiCS6 1Tb 3D QLC IC的生產將更容易和更便宜，這將使其能夠制造更便宜的存儲設備，在性能和價格上與最好的SSD競爭。
QLC和TLC配置的BiCS6 3D NAND存儲器的大規模生產將于2022年底開始(WDC 2023財年第二季度)。BiCS6 3D NAND芯片將被用于廣泛的應用，從廉價的USB驅動器開始，一直擴展到高價的大容量SSD。
200層以上的BiCS+即將問世
同時，專門針對需要高容量和高性能的數據中心工作負載，西部數據打算推出BiCS+內存，它是為數據中心設計的。
該公司聲稱，與BiCS6相比，BiCS+將提供每片晶圓55%的位數增長，這要歸功于200+層，傳輸速度高達60%(即，將使用更快的接口和/或8/16平面架構以實現更高的并行性)，以及15%的程序帶寬(即，更高的寫入速度)。目前，BICS+被設定為有時會在2024年到達。
西部數據技術和戰略總裁Siva Sivaram說："這是為數據中心工作負載設計的，你可以看到[......]當我們從BiCS6到這個節點時，每個晶圓的比特增長率為55%，I/O速度增加了60%，而我剛才談到的程序帶寬，我們保持著60MB/s的世界紀錄，在這個單元上我們將進一步推高15%"。西部數據技術和戰略總裁Siva Sivaram說："等到這款產品開發完成并投入使用時，這將是NAND性能的一個飛躍。"
雖然西部數據沒有概述其確切的BiCS+計劃，但我們預計這種新型內存將使該公司能夠在不使用棘手的包裝或非常復雜的控制器的情況下，以標準的外形尺寸生產高容量的數據中心固態硬盤。還應該注意的是，BiCS+確實是專門針對數據中心驅動器的，因為對于普通的SSD，該公司打算提供200層以上的內存，目前被稱為BiCS-Y。
談到數據中心SSD，有趣的是，與合作伙伴Kioxia不同，西部數據不再談論基于3D NAND的存儲級內存(SCM)，與英特爾的Optane和Kioxia的XL NAND競爭。該公司曾在2019年提到其用于SCM應用的低延遲閃存(LLF)NAND存儲器，但從那時起，它沒有提供任何更新。
理論上，高密度3D NAND可以在單層單元(SLC)模式下使用，以解決需要高性能、低延遲、高可靠性和巨大數據保留的應用。同時，我們不確定為BiCS+組件設計的介質是否可以在這種模式下用于上述的應用。
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